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日本dip評(píng)估裝置（膜厚計(jì)）AFW-100W
更新日期：2024-05-12
訪問(wèn)量：1036
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
生產(chǎn)地址：
簡(jiǎn)要描述：
日本dip評(píng)估裝置（膜厚計(jì)）AFW-100W與SEM和測(cè)針型輪廓儀不同，無(wú)需接觸即可進(jìn)行測(cè)量。-與橢偏儀相比，價(jià)格低廉且易于使用。
日本dip評(píng)估裝置（膜厚計(jì)）AFW-100W
日本dip評(píng)估裝置（膜厚計(jì)）AFW-100W
評(píng)估裝置（膜厚計(jì)）
建議將反射光譜膜厚計(jì)用于硬涂層等膜厚測(cè)量應(yīng)用。
[機(jī)理]當(dāng)
用光照射樣品時(shí)，取決于膜的厚度，它顯示出*的光譜。膜表面上反射的光與穿過(guò)膜并在基板表面上反射的光相互干擾。當(dāng)光的相位匹配時(shí)，強(qiáng)度增加，而當(dāng)光的相位偏移時(shí)，強(qiáng)度降低。反射法是通過(guò)分析該光譜來(lái)測(cè)量膜厚的方法。
[優(yōu)點(diǎn)]-
與SEM和測(cè)針型輪廓儀不同，無(wú)需接觸即可進(jìn)行測(cè)量。
-與橢偏儀相比，價(jià)格低廉且易于使用。
將來(lái)也可以將其安裝在量產(chǎn)設(shè)備中。
| 模型 | AFW-100W |
|---|---|
| 用 | 一般膜厚 |
| 設(shè)備配置 | 單元本體，測(cè)量架，2分支光纖（1.5m），PC |
| 測(cè)量波長(zhǎng)范圍 | 380-1050納米 |
| 膜厚測(cè)量范圍 | 100nm?1μm（曲線擬合法） |
| 1μm至60μm（FFT） | |
| 測(cè)量重現(xiàn)性 | 0.2％-1％（取決于膠片質(zhì)量） |
| 測(cè)量光斑直徑 | 約7mm |
| 光源 | 12V-50W鹵素?zé)?/font> |
| 測(cè)量理論 | 曲線擬合法/ FFT法 |
| 外形尺寸（mm） | 尺寸支架：W150 x D150 x H115 |
| 機(jī)身：W230 x D230 x H135 | |
| 大概重量 | 5.5kg *不包括PC |
| 公用事業(yè) | AC100V 50/60赫茲 |
| 轟天猛將 | 鹵素?zé)?/font> |
測(cè)量工作量
從傳感器正下方的深度尺寸（黃色箭頭）：
可以測(cè)量126毫米8英寸晶圓。
顯微分光膜測(cè)厚儀
通過(guò)使用顯微鏡，可以測(cè)量過(guò)去無(wú)法測(cè)量的具有不規(guī)則性的電子元件和曲面透鏡。
| 名稱(chēng) | 顯微分光膜測(cè)厚儀 |
|---|---|
| 設(shè)備配置 | 顯微鏡，機(jī)身，光纖（1m），PC |
| 顯微鏡 | 奧林巴斯金相顯微鏡 |
| 測(cè)量波長(zhǎng)范圍 | 380-700納米 |
| 膜厚測(cè)量范圍 | 50nm-1.5μm（C / F） |
| 1.5μm至50μm（FFT） | |
| 測(cè)量重現(xiàn)性 | 0.2％-1％（取決于膠片質(zhì)量） |
| 測(cè)量光斑直徑 | Φ6μm至Φ120μm |
| 光源 | 12V-100W鹵素?zé)?/font> |
| 測(cè)量理論 | 曲線擬合法/ FFT法 |
| 外形尺寸（mm） | 顯微鏡：W317.5 x D602 x H480 |
| 機(jī)身：W230 x D230 x H135 | |
| 大概重量 | 25kg *不包括PC |
| 公用事業(yè) | AC100V 50/60赫茲 |
| 轟天猛將 | 鹵素?zé)?/font> |
