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Cr4+:YAG晶體

Cr4+:YAG晶體

更新日期：2024-05-14

訪問量：720

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

生產(chǎn)地址：

簡要描述：
Cr4+:YAG晶體
它在0.8-1.2μm波長范圍內(nèi)有強(qiáng)的吸收，同時具有高熔點(diǎn)、抗損傷、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點(diǎn)，常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調(diào)Q開關(guān)。

Cr4+:YAG晶體

Cr4+:YAG晶體

日本進(jìn)口boya－Cr4+:YAG晶體

Cr4+:YAG

Cr4+:YAG晶體是一種優(yōu)秀的飽和吸收材料。它在0.8-1.2μm波長范圍內(nèi)有強(qiáng)的吸收，同時具有高熔點(diǎn)、抗損傷、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點(diǎn)，常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調(diào)Q開關(guān)。
Cr4+:YAG晶體特征
● 壽命長
● 高損傷閾值
● 高穩(wěn)定性
● 高可靠性
 

基本參數(shù)

項目參數(shù)
化學(xué)分子式Cr4+：Y3AI5O12
晶向[100]或[111]
初始吸收系數(shù)0.5～6cm-1@1064nm
初始透過率5%～95%@1064nmm
元件尺寸直徑：3～12mm 截面：2×2～30×30mm
尺寸公差直徑：+0,-0.02mm，厚度： +0.2,-0mm
柱面加工精磨
端面平行度≤10"
端面平面度λ/10 per inch @632.8nm
光潔度10-5(MIL-PRF-13830B)
增透膜反射率R<0.15%@1064nm
膜層抗激光損傷閾值>750MW/cm2

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